智东西（公众号：zhidxcom）
编译 | 梁颖琳
编辑 | 云鹏
智东(dong)西4月10日消息，据《首尔经济(ji)日报》报道(dao)，三星(xing)电子近(jin)日宣布(bu)启动“梦想制(zhi)程（꿈의 반도체 공정）”1nm芯片(pian)研发，预计(ji)2029年后实现量产，旨在通过(guo)颠覆(fu)性(xing)技术突(tu)破追赶台(tai)积电（TSMC）。
三星(xing)电(dian)子(zi)正在为下(xia)一代半导体技术发起总攻，这标志着韩(han)国巨头正在向比2nm更先(xian)进(jin)的制程(cheng)技术迈进(jin)。尽管当前在3nm、2nm节点落后(hou)于台积(ji)电(dian)，但(dan)三星(xing)计划(hua)通过颠覆性技术路(lu)线(xian)在2029年后(hou)实现(xian)1nm工艺量产(chan)，目标直指AI芯(xin)片市场的爆发式增(zeng)长(zhang)需求。
一、打破设计框架：1纳米节点的技术革新
1nm节点需要彻底突破现有芯片设(she)计框(kuang)架，涉及高数值孔径(jing)极紫外光刻（High-NA EUV）等(deng)下一代设(she)备的全(quan)面导入。
三星内部(bu)已将部(bu)分参(can)与2nm研发的工程师调任至1nm项目(mu)组，显示(shi)出对该(gai)项目(mu)的战略(lve)重(zhong)视(shi)。
目前三星公(gong)开的最新制程(cheng)路线图(tu)显示(shi)，2027年(nian)计划量产(chan)的1.4nm工(gong)艺仍是其最先进节点，而台积电已于(yu)去年(nian)宣布(bu)将在2026年(nian)下(xia)半年(nian)启动1.6nm工(gong)艺量产(chan)，技术代差仍客观(guan)存在。
二、制程良率差距拉大，三星加速技术突围
三星在3nm和2nm工艺上与(yu)台积电(dian)存在技术差距(ju)，台积电(dian)的(de)2nm工艺良率已经超(chao)过60%，而三星的(de)良率相对较低。
三星(xing)电子(zi)副会长李在镕上月特别强调“继承(cheng)技术(shu)优先传统”，要求(qiu)管(guan)理层“用世界不(bu)存(cun)在的技术(shu)创造(zao)未来”。
这(zhei)一(yi)表态被解读为(wei)对(dui)制(zhi)程竞赛(sai)受挫(cuo)的危(wei)机应对(dui)，也是推动(dong)1nm提前研发的直接(jie)动(dong)因。
此外，三星还在(zai)加大(da)研发投入，计划引入高(gao)数值孔径EUV光(guang)刻设(she)备(bei)，以期(qi)在(zai)1nm制程(cheng)上实现技术突(tu)破，从而在(zai)未来的AI芯片市(shi)场中重新确立领(ling)先(xian)地位。
三、AI芯片技术竞赛下，技术代差成新筹码
随着AI训练算力需(xu)求每6个月翻(fan)倍，芯片制程的突(tu)破成为(wei)决定性因素。
台积电通过(guo)新增1.6nm节点抢(qiang)占过(guo)渡(du)期市场，而三星选择直接跨越至1nm，试(shi)图通过(guo)技术代差实现弯道(dao)超车。
三(san)星(xing)代工事(shi)业部新(xin)任(ren)社长韩进(jin)满(man)近(jin)期密(mi)集拜访DeepX等本(ben)土(tu)AI芯片初(chu)创企业，显示其正(zheng)加速构建产业协(xie)同。
结语：制程革命能否重塑竞争格局？
从当(dang)前(qian)3nm节点的良率差(cha)距，到(dao)2nm节点可能扩(kuo)大的技术(shu)(shu)代差(cha)，三星的1nm战略既是技术(shu)(shu)追(zhui)赶，也是路(lu)径重塑(su)。
高数值孔(kong)径(jing)EUV设(she)备的(de)引入(ru)将使单片(pian)晶圆(yuan)成本显著增加(jia)，这种“烧钱式(shi)”技术竞赛可能(neng)重塑全球代工(gong)市场格局。
对于AI芯片(pian)开发商而言，制程节点的突(tu)破(po)不仅是(shi)性能(neng)提升，更是(shi)决定(ding)未来算力生态(tai)的关(guan)键变量(liang)。
当台(tai)积电在(zai)2026年启动1.6nm量(liang)产时(shi)，三星能(neng)否在(zai)2029年用(yong)1nm工艺扭转战局(ju)，这场技(ji)术赛跑的胜负或将在(zai)未来(lai)三年见分晓。
来源：首尔经济日报、Samsung Newsroom
